다수의 데이터를 동시에 입출력할 수 있는 메모리 장치

Semiconductor memory device capable of inputting/outputting multiple data simultaneously

Abstract

본 발명은 반도체 메모리 장치에 관한 것으로, 특히 다수의 데이터를 동시에 억세스(Access)할 수 있는 메모리 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 메모리 장치는 글로벌 센스앰프부와 글로벌 비트라인을 통해 다수의 데이터를 동시에 엑세스할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 메모리 장치는 제어부의 엑세스 제어를 통해 글로벌 비트라인쌍 중 하나의 비트라인만을 사용하여 데이터를 입출력하며, 글로벌 비트라인 상에 별도의 스위치를 사용하지 않고서도 데이터를 입출력할 수 있다. 반도체, 메모리, 센스앰프, RAM, DRAM,

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Patent Citations (4)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    JP-H11134855-AMay 21, 1999Nec Corp, 日本電気株式会社Semiconductor storage device
    KR-20040063816-AJuly 14, 2004가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지Semiconductor memory device having potential amplitude of global bit line pair restricted to partial swing
    KR-20050012541-AFebruary 02, 2005주식회사 하이닉스반도체태그블럭을 구비하는 반도체 메모리 장치
    KR-20050067472-AJuly 04, 2005주식회사 하이닉스반도체Semiconductor memory device for data access with high speed

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