환원 분위기 하에서 유전 필름을 경화시키는 방법

Curing dielectric films under a reducing atmosphere

Abstract

본 발명은 다공성 유전 필름을 형성시키는 방법에 있어서, 기판의 적어도 일부에 Si, C, O, H 및 Si-CH 3 기를 포함하는 복합 필름을 형성시키는 단계로서, 복합 필름이 하나 이상의 규소 함유 구조 형성 물질 및 하나 이상의 탄소 함유 기공 형성 물질을 포함하는 단계 및 상기 복합 필름을 활성화된 화학종에 노출시켜서 탄소 함유 기공 형성 물질을 적어도 부분적으로 개질시키는 단계로서, 증착된 필름에서 Si-CH 3 종의 90% 이상이 FTIR에 의해 측정하여 노출 단계 후에 필름에 잔류하는 단계를 포함하는 방법을 제공한다.

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Patent Citations (4)

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